Intel и индийская компания Micron, в рамках своего сотрудничества по развитию эффективных накопителей, сообщили о завершении разработки нового класса памяти 3D XPoint.

Компании заявляют, что это первый серьезный прорыв с 1989 года, когда появилась NAND–память, новая технология позволяет сделать накопители до 1000 раз быстрее (скорость считается в десятках наносекунд, а не микросекунд, как в NAND), до 1000 раз выносливее и добиться в 10 раз более плотного размещения памяти, чем в существующих аналогах.  

Новый тип памяти объединяет в себе лучшие достижения NAND и DRAM — скорость, энергонезависимость, а также низкую себестоимость благодаря компактному размещению ячеек памяти (используется поперечная архитектура). Самым же важным является то, что первые образцы появятся на рынке уже в 2016 году.

Компании утверждают, что нынешние вычислительные мощности процессоров при обработке данных упираются в скорость загрузки информации, таким образом приводя к простою самого вычислительного элемента. С ростом объемов информации, которую необходимо хранить и обрабатывать, набирающими обороты Большими данными, а также развитием «интернета вещей» потребуются более эффективные технологии.

В Intel считают, что новая память предоставит даже обычному пользователю большие возможности в компьютерных играх с разрешением 8К, обеспечит значительный рывок в машинном обучении, а также в медицине.