„Intel“ paskelbė, jog jai pavyko sukurti pirmuosius pasaulyje trimačius tranzistorius, pavadintus „Tri–Gate“, bei technologiją jų pramoninei gamybai pradėti.
 
„Intel“ teigimu, šis pasiekimas užtikrins, kad Mūro dėsnis, teigiantis, jog komponentų tankis mikroschemose dvigubėja maždaug kas dvejus metus, galios ir toliau.

Taigi, pirmą kartą po silicio tranzistorių išradimo prieš 50 metų bus masiškai pradėti gaminti tranzistoriai, turintys trimatę struktūrą. Pirmą kartą „Intel“ apie trimačių tranzistorių kūrimą paskelbė dar 2002 metais, tačiau po to, iki pat šio pranešimo, žinių apie pasiekimus beveik nebuvo.

Kitos inovatyvios kompanijos, pavyzdžiui, IBM, taip pat skelbėsi kuriančios trimates puslaidininkių struktūras, tačiau dabar panašu, kad „Intel“ jas gerokai aplenkė.

„Intel“ prezidentas Paul Otellini teigė neabejojantis, kad šis pasiekimas atvers duris kurti įvairiausiems naujos kartos elektronikos prietaisams. „Tri–Gate“ tranzistoriai naudoja žemesnę įtampą ir yra 37 proc. efektyvesni, be to, jie naudoja net dvigubai mažiau energijos.

Kaip dangoraižiai leido miestų planuotojams efektyviau išnaudoti turimą erdvę, taip ir trimatė tranzistorių struktūra leis juos dėstant vertikaliai, sutalpinti didesnį skaičių į tūrio vienetą.